Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 40 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0263
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK055N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 40 A Drain-Strom – SIHK055N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Steuerumgebungen ausgelegt ist. Es handelt sich um ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Depletionsgerät, das über einen breiten thermischen Bereich arbeitet und sich für Anwendungen eignet, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit, einen hohen Dauerstrom und ein kontrolliertes Gate-Drive-Verhalten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,05 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Typische Gate-Ladung von 90 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Verlustleistung von 236 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,05 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Typische Gate-Ladung von 90 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Verlustleistung von 236 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungen
• Einsatz mit industriellen Stromwandlern und Wechselrichtern
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Ideal für die DC/DC-Wandlung in Hochleistungssystemen
• Kann für Traktions- oder Kfz-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Wird für Hochleistungs-Schalter-Arrays in Energiesystemen verwendet
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Ideal für die DC/DC-Wandlung in Hochleistungssystemen
• Kann für Traktions- oder Kfz-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Wird für Hochleistungs-Schalter-Arrays in Energiesystemen verwendet
Welchen thermischen Extremen kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie wird die Komponente auf einer Leiterplatte montiert und welches Gehäuse wird mitgeliefert?
Das Gerät wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für eine Leiterplattenmontage mit niedriger Induktivität und einen effizienten Wärmekontakt ausgelegt ist.
Welche gesetzlichen Vorschriften oder Branchenbereitschaft bietet es für den Einsatz im Automobilbereich?
Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen für die Qualifizierung von Halbleitern, die für elektronische Systeme im Automobilbereich geeignet sind.
Welche Anzahl von Pins sollten Entwickler bei der Erstellung von Leiterplatten-Footprints erwarten?
Die Komponente verfügt über ein 8-poliges Layout, das für eine korrekte Platzierung und Routing im Leiterplatten-Landungsmuster untergebracht werden sollte.