Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
178-0893
Herst. Teile-Nr.:
SIHG33N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

98mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

103nC

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Höhe

20.82mm

Breite

5.31 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor


Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom

Niedriger Gütefaktor (FOM)

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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