Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
268-8318
Herst. Teile-Nr.:
SIHP085N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay mit schneller Gehäusediode und Technologie der Serie E der 4-Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Server-Netzteilen und Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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