Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 268-8318
Herst. Teile-Nr.:: SIHP085N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 268-8318
Herst. Teile-Nr.:: SIHP085N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	34A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHP
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.084Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHP
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHP085N60EF-GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 34 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP085N60EF-GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in anspruchsvollen Stromkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich daher für Umgebungen, in denen thermische Robustheit erforderlich ist, und bietet eine hohe Dauerstromfähigkeit und Spannungsbelastbarkeit für Umwandlungs- und Schaltaufgaben.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 34 A unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Niedriger RDS(on) von 0,084 Ω minimiert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1.2 V reduziert den Abfall der Gehäuse-Diode-Leitung

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Systemen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien und Energierückgewinnung verwendet werden
• Geeignet für Labor und Prototyping mit Durchsteckmontage

Welche Befestigungsmethode ist für die Platinenmontage erforderlich?

Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage und Standard-Kühlkörperoptionen vorgesehen ist.

Welche Gate-Treiber-Spannungsgrenzwerte sollte ich beachten?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um Schäden zu vermeiden.

Wie bewältigt es extreme Temperaturen während des Betriebs?

Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz bei weiten Umgebungs- und erhöhten Anschlusstemperaturen.

Welche Polarität und welche Art von Modus bietet der Kanal für die Schaltungsentwicklung?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das eine positive Gate-Vorspannung in Bezug auf die Quelle für die Leitung erfordert.