Vishay SISS26DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 736-351
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS26DN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SISS26DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0045Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SISS26DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0045Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für Power-Management-Anwendungen entwickelt und zeichnet sich durch robuste Spezifikationen und effizienten Betrieb aus, die auf anspruchsvolle elektronische Umgebungen zugeschnitten sind.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet überlegene Leistung und Effizienz
Geeignet für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 60 V
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