Infineon AIMBG75R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 762-872
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
7,24 €
(ohne MwSt.)
8,62 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 30. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,24 € |
| 10 - 99 | 4,92 € |
| 100 - 499 | 4,10 € |
| 500 - 999 | 3,74 € |
| 1000 + | 3,42 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-872
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | AIMBG75R | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie AIMBG75R | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Hochleistungs-SiC-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um die Effizienz in Automobilanwendungen zu verbessern, indem er eine effektive Leistungsumwandlung und -verwaltung ermöglicht.
Bietet robuste 750-V-Technologie, die hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet
Verfügt über erstklassige Wärmeableitungsfunktionen für verbesserte Leistung
Unterstützt verbesserte Effizienz in harten Schaltanwendungen und minimiert den Energieverlust
Enthält integrierten ESD-Schutz zur Sicherung der Schaltungsintegrität
Verwandte Links
- Infineon AIMBG75R N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon AIMBG75R N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon AIMBG75R Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7