Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 87 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-408
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-408
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 234W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 234W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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