Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 138 A 300 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-407
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF067N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 138A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IPF | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 138A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IPF | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen 100% Avalanche Tested, IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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