Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-405
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
12,11 €
(ohne MwSt.)
14,41 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,055 € | 12,11 € |
| 20 - 198 | 5,45 € | 10,90 € |
| 200 - 998 | 5,03 € | 10,06 € |
| 1000 - 1998 | 4,665 € | 9,33 € |
| 2000 + | 4,175 € | 8,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-405
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 207A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | IPF | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 104nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 207A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie IPF | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF021N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPTG029N13NM6ATMA1
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF129N20NM6ATMA1
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF067N20NM6ATMA1
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin IPF019N12NM6ATMA1
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin ISC037N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT020N13NM6ATMA1