Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 207 A 294 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-405
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 207A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 104nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 207A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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