Infineon StrongIRFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 167 W, 3-Pin PG-TO263-3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

1,73 €

(ohne MwSt.)

2,06 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 91,73 €
10 - 241,45 €
25 - 990,90 €
100 - 4990,88 €
500 +0,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
762-987
Herst. Teile-Nr.:
IPB018N03LF2SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

125A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Serie

StrongIRFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.88mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der StrongIRFET 2-Leistungstransistor von Infineon ist ein 30-V-N-Kanal-MOSFET, der für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Er arbeitet unter extremen Bedingungen mit einer maximalen Temperatur von 175 °C und entspricht den Umweltvorschriften.

100 % Avalanche-getestet

Pb-freie Bleiplattierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links