Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 26.6 A 111 W, 4-Pin TO-247-4

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

5,32 €

(ohne MwSt.)

6,33 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 95,32 €
10 - 494,31 €
50 - 993,30 €
100 +2,64 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
762-920
Herst. Teile-Nr.:
IMZA65R075M2HXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.1mm

Länge

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.

Extrem niedrige Schaltverluste

Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems

Erleichtert die einfache Bedienung und Integration

Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme

Verwandte Links