Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1400 V / 65 A 288 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 762-926
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC140R029M2HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 288W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 23.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 288W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 23.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 ist ein Siliziumkarbid-MOSFET mit .XT-Verbindungstechnologie. Es verwendet .XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung und robuste Gehäusediode für harte Kommutierung.
Betrieb bei hohen Temperaturen
Geeignet für harte Kommutierung
Zuverlässiges Wärmemanagement
Verbesserte Leistung
Erhöhte Effizienz
Optimierte Gate-Ansteuerung
Geeignet für Leistungselektronik
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