Infineon Halbbrücke HybridPACK N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 750 V Erweiterung / 620 A 20 mW, 30-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 762-980
- Herst. Teile-Nr.:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stück)*
2.004,42 €
(ohne MwSt.)
2.385,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 6 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | 2.004,42 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-980
- Herst. Teile-Nr.:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 620A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Serie | HybridPACK | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 30 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Durchlassspannung Vf | 6.73V | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 620A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Serie HybridPACK | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 30 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5μC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Durchlassspannung Vf 6.73V | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das HybridPACK Drive G2-Modul von Infineon nutzt Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs und bietet eine maximale Spannung von 750 V und einen Nennstrom von 620 A. Sein Design zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, minimale Schaltverluste und eine robuste Isolationsfähigkeit von 4,25 kV aus. Es wurde für hohe Leistung entwickelt und hält Betriebstemperaturen von bis zu 200 °C aufrecht.
Kompakte Bauweise
Hohe Leistungsdichte
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Integrierte Temperatur-Sensor-Diode
PressFIT-Kontakttechnik
RoHS-konform, bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 750 V Erweiterung / 620 A HybridPACK Drive G2
- Infineon IGBT / 310 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- Infineon HybridPACK N-Kanal, Schraubanschlussklemme IGBT-Modul 1200 V / 300 A 775 W HybridPACK
- Infineon HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 390 A HybridPACK Drive G2
- Infineon Halbbrücke EasyPACK N-Kanal 22-Pin
- Infineon Halbbrücke EasyPACK N-Kanal 22-Pin
- Infineon Halbbrücke EasyPACK N-Kanal 22-Pin
- Infineon Halbbrücke C Series N-Kanal 7-Pin
