Infineon IGBT / 310 A ±19V max. 6-fach, 1200 V N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 349-191
- Herst. Teile-Nr.:
- FS03MR12A7MA2BHPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 310 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±19V | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 310 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±19V | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Power-Modul von Infineon implementiert die zweite Generation des CoolSiC Automotive MOSFET 1200V. Es ist optimiert für elektrische Antriebsstranganwendungen, von mittleren bis hohen Leistungsklassen im Automobilbereich bis hin zu gewerblichen Fahrzeugen, Baufahrzeugen und landwirtschaftlichen Fahrzeugen mit hoher Reichweite.
Hohe Leistungsdichte
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Integrierte Temperatur-Sensor-Diode
PressFIT-Kontakttechnik
Kompakte Bauweise
Höhere Temperaturwechselfähigkeit
Integrierte Dioden-Temperatursensoren
Neues Kunststoffmaterial
Bessere Temperaturbeständigkeit
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Integrierte Temperatur-Sensor-Diode
PressFIT-Kontakttechnik
Kompakte Bauweise
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Integrierte Dioden-Temperatursensoren
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