Infineon IGBT / 2400 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-362
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 2400A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 89 mm | |
| Länge | 247mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Höhe | 38.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 2400A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 89 mm | ||
Länge 247mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Höhe 38.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC wurde für Anwendungen mit sehr hoher Leistung entwickelt und bietet eine hervorragende Performance und Effizienz. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert sowohl den Platzbedarf als auch die Leistungsaufnahme für anspruchsvolle industrielle Anwendungen. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung liefert, um die Effizienz zu maximieren und Energieverluste zu minimieren.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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