Infineon IGBT / 2,4 kA ±20V max. Dual, 1200 V 20 mW N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 349-362
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 2,4 kA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 2,4 kA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC wurde für Anwendungen mit sehr hoher Leistung entwickelt und bietet eine hervorragende Performance und Effizienz. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert sowohl den Platzbedarf als auch die Leistungsaufnahme für anspruchsvolle industrielle Anwendungen. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung liefert, um die Effizienz zu maximieren und Energieverluste zu minimieren.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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