Infineon IGBT / 2,4 kA ±20V max. Dual, 1200 V 20 mW N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 349-363
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 2,4 kA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 2,4 kA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit. Es zeichnet sich durch höchste Leistungsdichte aus, die einen effizienten Betrieb auf kleinstem Raum ermöglicht. Mit dem erstklassigen VCEsat sorgt das Modul für eine niedrige Sättigungsspannung, was den Gesamtwirkungsgrad verbessert und Leistungsverluste reduziert.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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