Infineon IGBT / 1,6 kA ±20V max. Dual, 1200 V 20 mW N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 349-361
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 1,6 kA | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 1,6 kA | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 2 1200 V 1600 A Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und emittergesteuerter 7-Diode wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Leistung in einem kompakten und robusten Gehäuse. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert den Platzbedarf bei gleichzeitig hervorragender Belastbarkeit. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung für einen höheren Wirkungsgrad und geringere Energieverluste gewährleistet.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Höherer Ausgangsstrom des Wechselrichters
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Höherer Ausgangsstrom des Wechselrichters
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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