Infineon IGBT / 1.6 kA Halbbrücke, 1.2 kV 20 mW PrimePACKTM2 N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-361
- Herst. Teile-Nr.:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1.6kA | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | PrimePACKTM2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Höhe | 36.5mm | |
| Länge | 89mm | |
| Breite | 37.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1.6kA | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße PrimePACKTM2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Höhe 36.5mm | ||
Länge 89mm | ||
Breite 37.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 2 1200 V 1600 A Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und emittergesteuerter 7-Diode wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Leistung in einem kompakten und robusten Gehäuse. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert den Platzbedarf bei gleichzeitig hervorragender Belastbarkeit. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung für einen höheren Wirkungsgrad und geringere Energieverluste gewährleistet.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Höherer Ausgangsstrom des Wechselrichters
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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