Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 205 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 790-415
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A063SL-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Serie | MaxSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 79mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 23.6mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Serie MaxSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 79mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 23.6mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet Effizienz, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit. Sein fortschrittliches Design gewährleistet einen robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen bei gleichzeitiger umweltfreundlicher Konformität.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Effizienz bei der Stromumwandlung
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs erhöht die Zuverlässigkeit des Geräts
Niedriger Einschaltwiderstand von 63 mΩ bei 25 °C minimiert den Energieverlust
Hohe Spannungswerte von bis zu 1200 V unterstützen vielseitige Anwendungen
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