STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 80 V / 220 A, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
834-676
Herst. Teile-Nr.:
STL190N8F8
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

220A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

ROHS

Breite

5mm

Höhe

1mm

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
SG
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde entwickelt, um eine effiziente Leistung in verschiedenen Stromversorgungsanwendungen zu liefern. Er verfügt über robuste Spezifikationen, die für hohe Stromanforderungen in kompakter Verpackung geeignet sind.

Maximale Drain-Source-Spannung von 80 V gewährleistet Betriebssicherheit

Niedriger Einschaltwiderstand von 4,5 mΩ fördert die Energieeffizienz

Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von bis zu 126 A unterstützt anspruchsvolle Designs

Optimiert für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C für verbesserte Haltbarkeit

Avalanche-geprüftes Design garantiert Robustheit unter Fehlerbedingungen

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