Vishay SI34 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET P -20 V / -8 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-500
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück, auf einem Band mit 1)*
0,77 €
(ohne MwSt.)
0,92 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,77 € |
| 10 - 99 | 0,53 € |
| 100 - 499 | 0,34 € |
| 500 - 999 | 0,20 € |
| 1000 + | 0,16 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-500
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3493DDV-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SI34 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Länge | 6.05mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 5.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SI34 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Länge 6.05mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 5.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke P-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeiten gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in unterschiedlichen Spannungs- und Strombereichen.
P-Kanal-MOSFET arbeitet effektiv bei -20 V mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Geeignet für Impuls-Drain-Ströme bis zu -32 A für anspruchsvolle Anwendungen
Kontinuierlicher Ablassstrom von -7,5 A bei 25 °C erleichtert das Wärmemanagement
Gate-Source-Spannungstoleranz von ±8 V für zusätzliche Haltbarkeit in verschiedenen Schaltkreisen
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK