Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-502
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR178DP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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- SIR178DP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.05mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.05mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der leistungsstarke N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Leitfähigkeit mit geringem Leistungsverlust zu optimieren, wodurch er für verschiedene Stromanwendungen geeignet ist.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet überlegene Leistung
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert die Leitungsverluste
Unterstützt Niederspannungs-Gate-Ansteuerung für verbesserte Effizienz
Vollständig auf Zuverlässigkeit unter R- und UIS-Bedingungen getestet
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