Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 851-501
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 11,10 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
3,20 €
(ohne MwSt.)
3,81 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 6.000 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 3,20 € | - |
| 10 - 99 | 2,09 € | 11,10 € |
| 100 - 499 | 1,48 € | 172,00 € |
| 500 - 999 | 1,22 € | 990,00 € |
| 1000 + | 1,16 € | 2.040,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-501
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | 55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Länge | 6.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Breite | 5.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. 55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.04mm | ||
Länge 6.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Breite 5.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeiten gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in unterschiedlichen Spannungs- und Strombereichen.
Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und einen hohen Wirkungsgrad
Oberseitige Kühlung verbessert die Wärmeübertragungseigenschaften
Bleifreie und halogenfreie Konstruktion unterstützt die Einhaltung von Umweltvorschriften
Vollständig auf Zuverlässigkeit geprüft mit 100 % R- und UIS-Tests
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin SO-8