Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 40 A 375 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
851-501
Herst. Teile-Nr.:
SIDR178DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0029Ω

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Betriebstemperatur min.

55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Breite

5.25mm

Höhe

1.04mm

Länge

6.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TW
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Seine Fähigkeiten gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in unterschiedlichen Spannungs- und Strombereichen.

Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und einen hohen Wirkungsgrad

Oberseitige Kühlung verbessert die Wärmeübertragungseigenschaften

Bleifreie und halogenfreie Konstruktion unterstützt die Einhaltung von Umweltvorschriften

Vollständig auf Zuverlässigkeit geprüft mit 100 % R- und UIS-Tests

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