Microchip Halbbrücke mSiC N-Kanal, Kühlkörper SiC-Leistungsmodul 3300 V Erweiterungsmodus / 295 A 1918 W

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RS Best.-Nr.:
854-515
Herst. Teile-Nr.:
MSCSM330AM07D3NG
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

295A

Drain-Source-Spannung Vds max.

3300V

Serie

mSiC

Montageart

Kühlkörper

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

1918W

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Siliziumkarbid-Leistungsmodul von Microchip ist eine Phasenbein-Lösung, die für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde und die Siliziumkarbid-Technologie für überlegene Leistung und Zuverlässigkeit nutzt.

Niedriger RDS(on) für verbesserte Effizienz

Bietet ausgezeichnete thermische und Leistungszykluszuverlässigkeit

Entwickelt mit einer Kupfergrundplatte für verbesserte Wärmeableitung

Enthält ein CTI600-Kunststoffgehäuse, das eine erhöhte Kriechstrecke und einen höheren Abstand ermöglicht

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