Vishay SQ P-Kanal, SMD MOSFET P -60 V / -2.8 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 878-891
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2361CEES-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SQ | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.23Ω | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 2.64mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SQ | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.23Ω | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 2.64mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay in Automobilqualität bietet zuverlässige, hocheffiziente Schaltfunktionen unter rauen Bedingungen. Er wurde für Leistung entwickelt und arbeitet mit einer maximalen Ablassquellenspannung von 60 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 2,8 A.
Die TrenchFET-Technologie sorgt für optimale Schalteffizienz
Qualifiziert nach AEC-Q101, geeignet für Automobilanwendungen
Hält kontinuierlichen Ablassströmen von bis zu 2,8 A stand
Entwickelt für niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand, wodurch der Leistungsverlust reduziert wird
Bietet ausgezeichneten ESD-Schutz, ausgelegt für 800 V
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