Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SQ2315ES-T1_GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
819-3901
Herst. Teile-Nr.:
SQ2315ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

92mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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