Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SQ2310ES-T1_BE3

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787-9443
Herst. Teile-Nr.:
SQ2310ES-T1_BE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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