Vishay 2N7002K Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 0.35 W, 3-Pin 2N7002K-T1-GE3

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2N7002K-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

2N7002K

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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