Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
180-7275
Herst. Teile-Nr.:
SI2392ADS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

189mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.64 mm

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 126 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 3,1 A und eine maximale Verlustleistung von 2,5 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Aufwärtswandler

• DC/DC-Wandler

• LED-Hinterleuchtung in LCD-Fernsehern

• Lastschalter

• Leistungsmanagement für mobiles Computing

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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