Vishay 2N7002K-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 165-7142
Herst. Teile-Nr.:: 2N7002K-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay 2N7002K-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	0,066 €	198,00 €
6000 +	0,065 €	195,00 €

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RS Best.-Nr.:: 165-7142
Herst. Teile-Nr.:: 2N7002K-T1-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 mA
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	350 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,4 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.04mm
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C