Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6982
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6982
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | TrenchFET Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.03Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ TrenchFET Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.03Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101