Vishay SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 787-9452
Herst. Teile-Nr.:: SQ3419EV-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,4 A 5 W, 6-Pin TSOP-6

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	7,4 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	SQ Rugged
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	78 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Breite	1.7mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.1mm
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C