Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 787-9468
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
7,94 €
(ohne MwSt.)
9,45 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,794 € | 7,94 € |
| 100 - 240 | 0,746 € | 7,46 € |
| 250 - 490 | 0,676 € | 6,76 € |
| 500 - 990 | 0,636 € | 6,36 € |
| 1000 + | 0,596 € | 5,96 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9468
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.77V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie SQ Rugged | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.77V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Verwandte Links
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal 6-Pin TSOP
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal 6-Pin TSOP-6
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal 5-Pin SO-8
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
