Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 787-9468
Herst. Teile-Nr.:: SQ3460EV-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:: 787-9468
Herst. Teile-Nr.:: SQ3460EV-T1_GE3
Marke:: Vishay

SQ3460EV, Automotive N-Channel 20V (Drain-Source) 175degC MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	SQ Rugged
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	53 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	3,6 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	3.1mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9,3 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Höhe	1mm

Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6

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N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

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