Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 819-3917
Herst. Teile-Nr.:: SQ4401EY-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,937 €

(ohne MwSt.)

2,305 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,937 €	19,37 €
50 - 90	1,55 €	15,50 €
100 - 240	1,356 €	13,56 €
250 - 490	1,259 €	12,59 €
500 +	1,045 €	10,45 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 819-3917
Herst. Teile-Nr.:: SQ4401EY-T1_GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	SQ Rugged
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	7,14 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	74 nC @ 10 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.55mm