Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -30 V / -30 A 56 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-970
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
2,00 €
(ohne MwSt.)
2,38 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,00 € |
| 10 - 99 | 1,26 € |
| 100 - 499 | 0,83 € |
| 500 - 999 | 0,66 € |
| 1000 + | 0,59 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-970
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.017Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 5.13mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.017Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 5.13mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der leistungsstarke Dual-P-Kanal-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie wurde für ein effizientes Energiemanagement in Anwendungen entwickelt, die eine robuste Leistung und thermische Stabilität erfordern.
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilstandards
Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand
Vollständig auf Zuverlässigkeit unter strengen Bedingungen getestet
Bleifreie und halogenfreie Konstruktion unterstützt die Einhaltung von Umweltvorschriften
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET P-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET P-Kanal 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET P-Kanal 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- Vishay TrenchFET P-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)