Microchip Halbbrücke Phase Leg SiC MOSFET N-Kanal, Direktmontage MOSFET-Module 1200 V Erweiterung / 266 A 766 W

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RS Best.-Nr.:
931-018
Herst. Teile-Nr.:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Module

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

266A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

Phase Leg SiC MOSFET

Montageart

Direktmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

4.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

726nC

Maximale Verlustleistung Pd

766W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Advanced-Leistungsmodul von Microchip bietet eine hocheffiziente Phase-Leg-Lösung, die speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind.

Nutzt die Siliziumkarbid-Technologie zur Reduzierung von Energieverlusten

Geringe R-Drift über die Temperatur, was einen stabilen Betrieb gewährleistet

Verfügt über einen internen Thermistor für präzise Temperaturüberwachung

Hervorragende Leistung in Hochfrequenzumgebungen

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