Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 130 W, 4-Pin SOT-669

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RS Best.-Nr.:
103-8127
Herst. Teile-Nr.:
PSMN5R5-60YS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Höhe

1.1mm

Breite

4.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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