Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.9 A 1.92 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
103-8142
Herst. Teile-Nr.:
PMV65XP,215
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

76mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.92W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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