Nexperia PMV28UNEAR N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 3,9 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 151-3171
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV28UNEAR
- Marke:
- Nexperia
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Produktdetails
MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.
AEC-Q101-konformVerfügt über Repetitive-Avalanche-RatingGeeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund einer Nenntemperatur von 175 °C
N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Niedrige SchwellenspannungSehr schnelle SchaltungTrench MOSFET-TechnologieSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 2 kV HBMAEC-Q101-qualifiziert
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.45V |
| Verlustleistung max. | 3,9 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 8 V |
| Länge | 3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,2 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 1mm |
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