Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
151-3058
Herst. Teile-Nr.:
PMV28UNEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.

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