Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-0676
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV280ENEAR
- Marke:
- Nexperia
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
5,70 €
(ohne MwSt.)
6,775 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,228 € | 5,70 € |
| 250 - 600 | 0,126 € | 3,15 € |
| 625 - 1225 | 0,122 € | 3,05 € |
| 1250 - 2475 | 0,119 € | 2,98 € |
| 2500 + | 0,117 € | 2,93 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 153-0676
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV280ENEAR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 892mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 892mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs, 75 V – 200 V. Sie sehen jetzt eines der weltweit umfangreichsten Standard-MOS-Portfolios vor sich. Sie suchen nach äußerst zuverlässigen MOSFETs im Bereich von 75 V bis 200 V, die einfach in Ihr Design passen? Unsere Bauelemente eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). So besitzt unsere LFPAK-Serie mit Leistungs-MOSFETs einen extrem niedrigen RDSon, ein schnelles Schalten und Nennspannungen von bis zu 200 V.
N-Kanal-Trench-MOSFET für 100 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Logikstufenkompatibel
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen