Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.5 A 1.45 W, 3-Pin PMV230ENEAR SOT-23

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153-1898
Herst. Teile-Nr.:
PMV230ENEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

222mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Trench-MOSFET für 60V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Logikstufenkompatibel

Sehr schnelle Schaltung

Trench MOSFET-Technologie

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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