Nexperia BSH111BK N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 335 mA 1.45 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-5339
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH111BKR
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 335mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSH111BK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 335mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSH111BK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
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N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie
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Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 3 kV HBM
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen