Nexperia 2N7002,215 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
- RS Best.-Nr.:
- 103-8398
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002,215
- Marke:
- Nexperia
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126000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,069 €
(ohne MwSt.)
0,082 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 - 3000 | 0,069 € | 207,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,068 € | 204,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,064 € | 192,00 € |
| 30000 - 57000 | 0,063 € | 189,00 € |
| 60000 + | 0,061 € | 183,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 103-8398
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002,215
- Marke:
- Nexperia
- Ursprungsland:
- CN
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 (TO-236AB) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
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(ohne MwSt.)
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| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 - 3000 | 0,069 € | 207,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,068 € | 204,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,064 € | 192,00 € |
| 30000 - 57000 | 0,063 € | 189,00 € |
| 60000 + | 0,061 € | 183,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||