Nexperia 2N7002,215 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
- RS Best.-Nr.:
- 436-7379
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002,215
- Marke:
- Nexperia
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600 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
8600 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,307 €
(ohne MwSt.)
0,365 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 125 | 0,307 € | 7,675 € |
| 150 - 725 | 0,139 € | 3,475 € |
| 750 - 1475 | 0,132 € | 3,30 € |
| 1500 + | 0,084 € | 2,10 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
Verpackungsoptionen:
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- 436-7379
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002,215
- Marke:
- Nexperia
- Ursprungsland:
- CN
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 (TO-236AB) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3mm |
| Breite | 1.4mm |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
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| 25 - 125 | 0,307 € | 7,675 € |
| 150 - 725 | 0,139 € | 3,475 € |
| 750 - 1475 | 0,132 € | 3,30 € |
| 1500 + | 0,084 € | 2,10 € |
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