Nexperia PMV100ENEAR N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 4,5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-0729
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV100ENEAR
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 153-0729
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV100ENEAR
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Logikstufenkompatibel
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 118 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 4,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,6 nC @ 10 V |
| Länge | 3mm |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1mm |
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