Nexperia NX7002BKR N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 270 mA 1670 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 151-2761
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKR
- Marke:
- Nexperia
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFETs auf Logik- und Standardebene in einer Vielzahl von Gehäusen. Probieren Sie unsere robusten und einfach zu bedienenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres umfangreichen MOSFET-Bauteilportfolios sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistungen und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA)
N-Kanal-Trench-MOSFET (60 V), N-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23-(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Kompatibel mit Logik-EbeneSehr schnelle SchaltungTrench MOSFET-TechnologieSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 2 kV HBM
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 270 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,8 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V |
| Verlustleistung max. | 1670 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 151-2761
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKR
- Marke:
- Nexperia
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