Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 mA 1.67 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 151-2761
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKR
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.67W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.67W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFETs auf Logik- und Standardebene in einer Vielzahl von Gehäusen. Probieren Sie unsere robusten und einfach zu bedienenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres umfangreichen MOSFET-Bauteilportfolios sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistungen und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA)
N-Kanal-Trench-MOSFET (60 V), N-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23-(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
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