Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.3 A 5.44 W, 3-Pin PMV30XPEAR SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
153-1886
Herst. Teile-Nr.:
PMV30XPEAR
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

57mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

5.44W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

3mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Sehr schnelle Schaltung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Verwandte Links