Nexperia BSH201 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 417 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-8348
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH201,215
- Marke:
- Nexperia
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BSH201 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BSH201 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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