Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 124-2286
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH105,215
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,05 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.85V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 417 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Länge | 3mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,9 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,05 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.85V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 417 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Länge 3mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,9 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.4mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1mm | ||