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    Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23

    Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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    *Richtpreis

    RS Best.-Nr.:
    509-273
    Herst. Teile-Nr.:
    BSH105,215
    Marke:
    Nexperia
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    Marke

    Nexperia

    Channel-Typ

    N

    Dauer-Drainstrom max.

    1,05 A

    Drain-Source-Spannung max.

    20 V

    Gehäusegröße

    SOT-23

    Montage-Typ

    SMD

    Pinanzahl

    3

    Drain-Source-Widerstand max.

    200 mΩ

    Channel-Modus

    Enhancement

    Gate-Schwellenspannung max.

    0.85V

    Gate-Schwellenspannung min.

    0.4V

    Verlustleistung max.

    417 mW

    Transistor-Konfiguration

    Einfach

    Gate-Source Spannung max.

    –8 V, +8 V

    Anzahl der Elemente pro Chip

    1

    Betriebstemperatur max.

    +150 °C

    Transistor-Werkstoff

    Si

    Länge

    3mm

    Breite

    1.4mm

    Gate-Ladung typ. @ Vgs

    3,9 nC @ 4,5 V

    Höhe

    1mm

    Betriebstemperatur min.

    -55 °C

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