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    Nexperia BSH105,215 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23

    Nexperia
    RS Best.-Nr.:
    509-273
    Herst. Teile-Nr.:
    BSH105,215
    Marke:
    Nexperia

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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V



    MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.1,05 A
    Drain-Source-Spannung max.20 V
    GehäusegrößeSOT-23
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.200 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.0.85V
    Gate-Schwellenspannung min.0.4V
    Verlustleistung max.417 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–8 V, +8 V
    Breite1.4mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge3mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Gate-Ladung typ. @ Vgs3,9 nC @ 4,5 V
    Höhe1mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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