Nexperia BSH105,215 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 509-273
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH105,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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100 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
80 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,16 €
(ohne MwSt.)
0,19 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 20 - 20 | 0,16 € | 3,20 € |
| 40 - 80 | 0,109 € | 2,18 € |
| 100 - 180 | 0,092 € | 1,84 € |
| 200 - 380 | 0,09 € | 1,80 € |
| 400 + | 0,088 € | 1,76 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 509-273
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH105,215
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,05 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.85V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 417 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,9 nC @ 4,5 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.4mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1mm |
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| 20 - 20 | 0,16 € | 3,20 € |
| 40 - 80 | 0,109 € | 2,18 € |
| 100 - 180 | 0,092 € | 1,84 € |
| 200 - 380 | 0,09 € | 1,80 € |
| 400 + | 0,088 € | 1,76 € |
| *Bitte VPE beachten | ||