Nexperia BST82,215 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- BST82,215
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 3mm |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 166-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- BST82,215
- Marke:
- Nexperia
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